Thử nghiệm Samsung SSD 9100 PRO: PCIe Gen 5 dành cho ai?

Khác với các nhà sản xuất khác thường lắp ráp linh kiện từ nhiều nguồn (NAND của Micron, Controller của Phison), Samsung sở hữu lợi thế rất lớn về khả năng tự chủ: họ tự sản xuất mọi thành phần từ controller, chip nhớ NAND Flash cho đến bộ nhớ đệm DRAM.

Presto là controller của Samsung tự phát triển, sản xuất trên tiến trình 5nm và nó hiệu quả hơn Phison E26 thời đầu (12nm) và cả bản cải tiến sau này (7nm). Presto vận hành trên giao thức NVMe 2.0 với thiết kế 8 kênh (8-channel), cho phép nó giao tiếp song song với các chip nhớ NAND Flash ở tốc độ cực cao. Khả năng quản lý luồng dữ liệu thông minh giúp tối ưu hóa cả băng thông tuần tự lẫn độ trễ truy xuất ngẫu nhiên.

Điểm thứ hai là Samsung trang bị cho SSD 9100 PRO NAND Flash V8 với cấu trúc xếp chồng 236 lớp (236 layer TLC) không chỉ tăng mật độ lưu trữ (cho phép tạo ra phiên bản 8TB trên một mặt PCB) mà còn cải thiện độ bền và hiệu quả năng lượng. Và dĩ nhiên là SSD 9100 PRO cũng có CTF (Charge Trap Flash) để giảm thiểu hiện tượng rò rỉ điện tích.

Các chip nhớ này hoạt động ở bus interface là 2400 MT/s, đồng bộ tốt với khả năng của controller Presto để bão hòa băng thông PCIe 5.0 x4.

Có một thực tế là, hiệu năng thực tế của một ổ SSD hiện đại phụ thuộc rất nhiều vào bộ nhớ đệm. Samsung SSD 9100 PRO sử dụng chip nhớ LPDDR4x giúp tiêu thụ điện năng thấp, năm nay với những phiên bản 1TB cho đến 8TB sẽ có bộ nhớ đệm tương ứng, ví dụ bản 1TB sẽ có 1GB DRAM, 2TB là 2GB…. Bộ nhớ đệm này lưu trữ bảng ánh xạ dữ liệu (mapping table), giúp việc tìm kiếm vị trí dữ liệu trên NAND diễn ra tức thì.

Thứ hai là TurboWrite 2.0, đây là thứ giúp cho SSD 9100 PRO đạt tốc độ đọc ghi tuần tự gần 14GB/s. Một phần dung lượng của ổ đĩa (chip TLC 3-bit) được lập trình để hoạt động như chip SLC (1-bit), cho phép ghi dữ liệu cực nhanh.

Ở phiên bản 2TB, dung lượng TurboWrite tối đa là khoảng 226GB, tức là nếu bạn chép một file có dung lượng tương đương thì nó vẫn có thể duy trì ở tốc độ tối đa mà không bị tràn cache.