Intel trình làng nguyên mẫu công nghệ bộ nhớ ZAM, hứa hẹn cải thiện hiệu năng và tản nhiệt

Intel vừa lần đầu tiên trình làng nguyên mẫu công nghệ bộ nhớ ZAM (Z-Angle Memory) với kiến trúc đột phá hứa hẹn cải thiện đáng kể hiệu năng tản nhiệt và xử lý. Đây là bước tiến quan trọng trong nỗ lực tái gia nhập thị trường bộ nhớ của gã khổng lồ công nghệ sau nhiều thập kỷ vắng bóng.

Tại sự kiện Intel Connection Japan 2026, Intel cùng với công ty con Saimemory thuộc SoftBank đã chính thức giới thiệu giải pháp Z-Angle Memory nhằm phá vỡ sự độc quyền của công nghệ HBM hiện tại.

Ảnh: Wccftech.

Các nguyên mẫu ZAM cho thấy khả năng đạt tới 512GB trên mỗi chip, đáp ứng nhu cầu khổng lồ cho việc huấn luyện các mô hình AI lớn trong trung tâm dữ liệu.

Vai trò của Intel trong dự án ZAM hiện được xác định là chịu trách nhiệm về đầu tư ban đầu và các quyết định chiến lược. Mặc dù các thông số cụ thể về hiệu năng so với HBM chưa được công bố chi tiết, nhưng tài liệu marketing tại sự kiện cho thấy ZAM có tiềm năng cạnh tranh mạnh mẽ trong phân khúc bộ nhớ băng thông cao. Đây là động thái đáng chú ý của Intel trong bối cảnh thị trường bộ nhớ đang có nhiều biến động và nhu cầu ngày càng tăng cao từ các ứng dụng AI và điện toán hiệu năng cao.

Ngoài HBM và ZAM, NVIDIA cũng từng được cho là đang thử nghiệm HBF (High bandwidth Flash) trên HPC phục vụ nhu cầu AI, một công nghệ bộ nhớ cho tốc độ cực cao (của giao thức PCIe 7.0) và dung lượng cực kỳ lớn, mở rộng lên hàng terabyte trên mỗi thiết bị